
SISF00DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SISF00DN-T1-GE3 |
Descriere | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Termen de livrare standard al producătorului | 55 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 30V 60A (Tc) 69,4W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modele |
Categorie | Rds pornit (Max) la Id, Vgs 5mOhm la 10A, 10V |
Producător Vishay Siliconix | Vgs(th) (Max) la Id 2,1V la 250µA |
Serie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 53nC la 10V |
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel® | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2700pF la 15V |
Stare piesă Activ | Putere - Max 69,4W (Tc) |
Tehnologie MOSFET (oxid metalic) | Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ) |
Configurație Drenaj comun (dublu) canal 2 N | Tip montare Montare pe suprafață |
Caracteristică FET – | Pachet/cutie PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30V | Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 60A (Tc) | Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 10,58000 lei | 10,58 lei |
| 10 | 6,77600 lei | 67,76 lei |
| 100 | 4,60900 lei | 460,90 lei |
| 500 | 3,68162 lei | 1.840,81 lei |
| 1.000 | 3,38355 lei | 3.383,55 lei |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 3.000 | 3,00522 lei | 9.015,66 lei |
| 6.000 | 2,81490 lei | 16.889,40 lei |
| 9.000 | 2,72238 lei | 24.501,42 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 10,58000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 12,80180 lei |











