
SIS9122DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 742-SIS9122DN-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SIS9122DN-T1-GE3 |
Descriere | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS |
Termen de livrare standard al producătorului | 55 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 100V 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8 dublu |
Fișă de date | Fișă de date |
Tip | Descriere | Selectare globală |
|---|---|---|
Categorie | ||
Producător | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Ambalaj | Bandă și mosor (TR) | |
Stare piesă | Activ | |
Tehnologie | MOSFET (oxid metalic) | |
Configurație | Canal 2 N | |
Caracteristică FET | – | |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | 100V | |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) | |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs | 160mOhm la 2,5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) la Id | 4V la 250µA | |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs | 6nC la 10V | |
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | 210pF la 50V | |
Putere - Max | 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) | |
Temperatură de funcționare | -55°C – 150°C (TJ) | |
Grad | – | |
Calificare | – | |
Tip montare | Montare pe suprafață | |
Pachet/cutie | PowerPAK® 1212-8 dublu | |
Pachet dispozitiv furnizor | PowerPAK® 1212-8 dublu |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 6.000 | 1,85919 lei | 11.155,14 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 1,85919 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 2,24962 lei |


