SIS176LDN-T1-GE3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIS892DN-T1-GE3

Numărul produsului DigiKey
SIS892DN-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR)
SIS892DN-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
SIS892DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SIS892DN-T1-GE3
Descriere
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Termen de livrare standard al producătorului
33 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
30A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
29mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
611 pF @ 50 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet/cutie
PowerPAK® 1212-8
Număr produs de bază
SIS892
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 832
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®
Cantitate Preț unitar Ext Price
19,33000 lei9,33 lei
105,96000 lei59,60 lei
1004,03910 lei403,91 lei
5003,21716 lei1.608,58 lei
1.0003,06857 lei3.068,57 lei
* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.
Bandă și mosor (TR)
Cantitate Preț unitar Ext Price
3.0002,61742 lei7.852,26 lei
6.0002,50700 lei15.042,00 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:9,33000 lei
Preț unitar cu TVA:11,28930 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
5 Articole
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

8,50000 lei
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

14,08000 lei
TGM-H281NFLFTR

TGM-H281NFLFTR

ISO MOD DC 1:1:2.6:2.6 18.5VUS

HALO Electronics, Inc.

20,75000 lei
SSM3J168F,LF

SSM3J168F,LF

MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

2,18000 lei
PSMN040-100MSEX

PSMN040-100MSEX

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33

Nexperia USA Inc.

7,50000 lei