Name: SIS892ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS892ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 9.0266 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIS892ADN-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIS892ADN-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIS892ADN-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIS892ADN-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Termen de livrare standard al producătorului	42 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 28A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIS892ADN-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 19.5 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 550 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 28A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® 1212-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 33mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA	Număr produs de bază SIS892