Name: SIRS5100DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND
Price: 22.627 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

SIRS5100DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIRS5100DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIRS5100DP-T1-GE3
Descriere	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Termen de livrare standard al producătorului	33 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 39A (Ta), 225A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIRS5100DP-T1-GE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	39A (Ta), 225A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	7,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,5mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	5400 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	7,4W (Ta), 240W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIRS5100

Preț unitar fără TVA:	18,70000 lei
Preț unitar cu TVA:	22,62700 lei

SIRS5100DP-T1-GE3