Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 5.9653 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIRA12BDP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIRA12BDP-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIRA12BDP-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	27A (Ta), 60A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,3mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1470 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIRA12