Name: SIRA00DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA00DP-T1-GE3TR-ND
Price: 15.4517 RON
Availability: OutOfStock

SIRA00DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIRA00DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIRA00DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIRA00DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIRA00DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIRA00DP-T1-GE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	11700 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIRA00

Preț unitar fără TVA:	12,77000 lei
Preț unitar cu TVA:	15,45170 lei

SIRA00DP-T1-GE3