Name: SIR826ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR826ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 17.3151 RON
Availability: InStock

SIR826ADP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIR826ADP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIR826ADP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIR826ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR826ADP-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	49 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIR826ADP-T1-GE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	60A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	5,5mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,8V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2800 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIR826

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
3.000	4,66491 lei	13.994,73 lei
6.000	4,49791 lei	26.987,46 lei

Preț unitar fără TVA:	14,31000 lei
Preț unitar cu TVA:	17,31510 lei

SIR826ADP-T1-GE3