Name: SIR664DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR664DP-T1-GE3TR-ND
Price: 8.8572 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIR664DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIR664DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIR664DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIR664DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR664DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	33 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 60A (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIR664DP-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	60A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	6mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	40 nC @ 10 V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1750 pF @ 30 V
Caracteristică FET	–
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIR664