Name: SIR638ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR638ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 16.577 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIR638ADP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	SIR638ADP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIR638ADP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIR638ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR638ADP-T1-RE3
Descriere	MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIR638ADP-T1-RE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 165 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) +20V, -16V
Serie TrenchFET® Gen IV	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 9100 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 104W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 100A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,88mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 2,3V la 250µA	Număr produs de bază SIR638