Name: SIR5208DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND
Price: 8.9661 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIR5208DP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIR5208DP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIR5208DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR5208DP-T1-RE3
Descriere	N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
Termen de livrare standard al producătorului	19 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 20 V 48A (Ta), 165A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 68 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) +8V, -7V
Serie TrenchFET® Gen V	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4100 pF @ 10 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 48A (Ta), 165A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 2,5V, 8V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,3mOhm la 10A, 8V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 1,3V la 250µA