Name: SIR500DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR500DP-T1-RE3TR-ND
Price: 14.4474 RON
Availability: OutOfStock

SIR500DP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIR500DP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIR500DP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIR500DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR500DP-T1-RE3
Descriere	N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 85,9A (Ta), 350,8A (Tc) 6,25W (Ta), 104,1W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIR500DP-T1-RE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	85,9A (Ta), 350,8A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,47mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+16V, -12V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	8960 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	6,25W (Ta), 104,1W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8

Preț unitar fără TVA:	11,94000 lei
Preț unitar cu TVA:	14,44740 lei

SIR500DP-T1-RE3