Name: SIR178DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND
Price: 13.9634 RON
Availability: InStock

SIR178DP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIR178DP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIR178DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR178DP-T1-RE3
Descriere	MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Termen de livrare standard al producătorului	19 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIR178DP-T1-RE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	20 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	100A (Ta), 430A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	2,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,4mOhm la 30A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	1,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	310 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+12V, -8V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	12430 pF @ 10 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIR178

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
3.000	3,37716 lei	10.131,48 lei
6.000	3,35972 lei	20.158,32 lei

Preț unitar fără TVA:	11,54000 lei
Preț unitar cu TVA:	13,96340 lei

SIR178DP-T1-RE3