Name: SIR167DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR167DP-T1-GE3TR-ND
Price: 10.0188 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIR167DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIR167DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIR167DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIR167DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR167DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 60A (Tc) 65,8W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 111 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±25V
Serie TrenchFET® Gen III	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4380 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 65,8W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 60A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 5,5mOhm la 15A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA	Număr produs de bază SIR167