Name: SIR112DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR112DP-T1-RE3TR-ND
Price: 11.5192 RON
Availability: OutOfStock

SIR112DP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	SIR112DP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIR112DP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIR112DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR112DP-T1-RE3
Descriere	MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 37,6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	37,6A (Ta), 133A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,96mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4270 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIR112

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
3.000	2,68624 lei	8.058,72 lei
6.000	2,58081 lei	15.484,86 lei

Preț unitar fără TVA:	9,52000 lei
Preț unitar cu TVA:	11,51920 lei

SIR112DP-T1-RE3