Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 28.8585 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIJH112E-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIJH112E-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Termen de livrare standard al producătorului	29 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 8 x 8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIJH112E-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,8mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	8050 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® 8 x 8
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	SIJH112