Similar
Similar
Similar

SIHP6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | SIHP6N65E-GE3-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SIHP6N65E-GE3 |
Descriere | MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB |
Termen de livrare standard al producătorului | 22 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | SIHP6N65E-GE3 Modele |
Categorie | Vgs (Max) ±30V |
Prod. | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 820 pF @ 100 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 78W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V | Pachet dispozitiv furnizor TO-220AB |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 600mOhm la 3A, 10V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA | Număr produs de bază |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 48 nC @ 10 V |
| Număr de catalog | Producător | CANTITATE DISPONIBILĂ | Numărul produsului DigiKey | Preț unitar | Tip produs înlocuitor |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP14N60P | IXYS | 0 | IXFP14N60P-ND | 2,73403 lei | Similar |
| IXTP14N60P | IXYS | 177 | IXTP14N60P-ND | 5,71000 lei | Similar |
| SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | 135 | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND | 3,46000 lei | Similar |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1.000 | 4,67313 lei | 4.673,13 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 4,67313 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 5,65449 lei |



