Name: SIHG35N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG35N60E-GE3-ND
Price: 40.5471 RON
Availability: OutOfStock

SIHG35N60E-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHG35N60E-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHG35N60E-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AC
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	E
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	32A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	94mOhm la 17A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	132 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2760 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	250W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247AC
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	SIHG35

Preț unitar fără TVA:	33,51000 lei
Preț unitar cu TVA:	40,54710 lei

SIHG35N60E-GE3