Name: SIHG33N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG33N65EF-GE3-ND
Price: 45.9316 RON
Availability: OutOfStock

SIHG33N65EF-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHG33N65EF-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHG33N65EF-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 31,6A (Tc) 313W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AC
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	31,6A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	109mOhm la 16,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	171 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4026 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	313W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247AC
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	SIHG33

Preț unitar fără TVA:	37,96000 lei
Preț unitar cu TVA:	45,93160 lei

SIHG33N65EF-GE3