SIHG16N50C-E3 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
În stoc: 1.123
Preț unitar : 24,88000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 424
Preț unitar : 31,30000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 153
Preț unitar : 35,37000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 272
Preț unitar : 34,51000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 376
Preț unitar : 174,22000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 28,39000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 502
Preț unitar : 24,88000 lei
Fișă de date
Canal-N 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AC
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIHG16N50C-E3

Numărul produsului DigiKey
SIHG16N50C-E3-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
SIHG16N50C-E3
Descriere
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AC
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SIHG16N50C-E3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
380mOhm la 8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
250W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.