SIHF12N50C-E3 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

IRFSL11N50APBF
Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 21,20000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) Orificiu străpuns Pachet complet TO-220
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIHF12N50C-E3

Numărul produsului DigiKey
SIHF12N50C-E3-ND
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SIHF12N50C-E3
Descriere
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) Orificiu străpuns Pachet complet TO-220
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay Siliconix
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
12A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
555mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1375 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
36W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
Pachet complet TO-220
Pachet/cutie
Pachet complet TO-220-3
Număr produs de bază
SIHF12
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.