Name: SIHD1K4N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD1K4N60E-GE3-ND
Price: 9.5469 RON
Availability: OutOfStock

SIHD1K4N60E-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHD1K4N60E-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHD1K4N60E-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 4,2A (Tc) 63W (Tc) Montare pe suprafață DPAK
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	E
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	4,2A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,45Ohm la 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	172 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	63W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	DPAK
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	SIHD1

Preț unitar fără TVA:	7,89000 lei
Preț unitar cu TVA:	9,54690 lei

SIHD1K4N60E-GE3