Name: SIHB33N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60ET1-GE3TR-ND
Price: 38.2965 RON
Availability: OutOfStock

SIHB33N60ET1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHB33N60ET1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIHB33N60ET1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIHB33N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHB33N60ET1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	E
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	33A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	99mOhm la 16,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3508 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	278W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	SIHB33

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
800	12,45559 lei	9.964,47 lei
1.600	12,02963 lei	19.247,41 lei

Preț unitar fără TVA:	31,65000 lei
Preț unitar cu TVA:	38,29650 lei

SIHB33N60ET1-GE3