
SIHB21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | SIHB21N65EF-GE3-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SIHB21N65EF-GE3 |
Descriere | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
Termen de livrare standard al producătorului | 22 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK) |
Fișă de date | Fișă de date |
Tip | Descriere | Selectare globală |
|---|---|---|
Categorie | ||
Prod. | ||
Serie | - | |
Ambalaj | Tub | |
Stare piesă | Activ | |
Tip FET | ||
Tehnologie | ||
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | 650 V | |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | ||
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) | 10V | |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs | 180mOhm la 11A, 10V | |
Vgs(th) (Max) la Id | 4V la 250µA | |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs | 106 nC @ 10 V | |
Vgs (Max) | ±30V | |
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | 2322 pF @ 100 V | |
Caracteristică FET | – | |
Disipare putere (Max) | 208W (Tc) | |
Temperatură de funcționare | -55°C – 150°C (TJ) | |
Grad | – | |
Calificare | – | |
Tip montare | Montare pe suprafață | |
Pachet dispozitiv furnizor | TO-263 (D2PAK) | |
Pachet/cutie | ||
Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 27,69000 lei | 27,69 lei |
| 50 | 14,59260 lei | 729,63 lei |
| 100 | 13,32960 lei | 1.332,96 lei |
| 500 | 11,11786 lei | 5.558,93 lei |
| 1.000 | 10,40780 lei | 10.407,80 lei |
| 2.000 | 10,01607 lei | 20.032,14 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 27,69000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 33,50490 lei |

