Name: SIHB20N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB20N50E-GE3-ND
Price: 23.9217 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIHB20N50E-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHB20N50E-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHB20N50E-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±30V
Prod. Vishay Siliconix	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1640 pF @ 100 V
Ambalaj Vrac	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 179W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 500 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 19A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 184mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază SIHB20
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 92 nC @ 10 V

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 2.230

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Vrac

Pachet standard de la producător

Preț unitar fără TVA:	19,77000 lei
Preț unitar cu TVA:	23,92170 lei

SIHB20N50E-GE3