Name: SIHB12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N60E-GE3-ND
Price: 15.7905 RON
Availability: OutOfStock

SIHB12N60E-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHB12N60E-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHB12N60E-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	15 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	12A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	380mOhm la 6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	937 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	147W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	SIHB12

Preț unitar fără TVA:	13,05000 lei
Preț unitar cu TVA:	15,79050 lei

SIHB12N60E-GE3