Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 22.7117 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIDR680DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIDR680DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 32,8A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8DC
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 105 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET® Gen IV	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5150 pF @ 40 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 32,8A (Ta), 100A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 7,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8DC
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,9mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 3,4V la 250µA	Număr produs de bază SIDR680