Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 21.5017 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIDR5802EP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIDR5802EP-T1-RE3
Descriere	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8DC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIDR5802EP-T1-RE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 60 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET® Gen V	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3020 pF @ 40 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 34,2A (Ta), 153A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 7,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8DC
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,9mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază SIDR5802