Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 18.8397 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIDR5802EP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIDR5802EP-T1-RE3
Descriere	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	33 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8DC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIDR5802EP-T1-RE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	34,2A (Ta), 153A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	7,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,9mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3020 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8DC
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SIDR5802