Name: SI9926CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 10.4423 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI9926CDY-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI9926CDY-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI9926CDY-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI9926CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI9926CDY-T1-GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 20V 8A 3,1W Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 18mOhm la 8,3A, 4,5V
Producător Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) la Id 1,5V la 250µA
Serie TrenchFET®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 33nC la 10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1200pF la 10V
Stare piesă Activ	Putere - Max 3,1W
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Configurație Canal 2 N (dublu)	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET Poartă logică	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 8A	Număr produs de bază SI9926