Name: SI7942DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7942DP-T1-GE3TR-ND
Price: 21.9252 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI7942DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI7942DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI7942DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI7942DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI7942DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 3,8A 1,4W Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI7942DP-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 49mOhm la 5,9A, 10V
Producător Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA
Serie TrenchFET®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 24nC la 10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds –
Stare piesă Activ	Putere - Max 1,4W
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Configurație Canal 2 N (dublu)	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET Poartă logică	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8 dual
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8 dual
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3,8A	Număr produs de bază SI7942