Name: SI7898DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-E3TR-ND
Price: 13.5036 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI7898DP-T1-E3
Numărul produsului DigiKey	SI7898DP-T1-E3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI7898DP-T1-E3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI7898DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI7898DP-T1-E3
Descriere	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 150 V 3A (Ta) 1,9W (Ta) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI7898DP-T1-E3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	150 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	3A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	85mOhm la 3,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,9W (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SI7898