Name: SI7846DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7846DP-T1-E3TR-ND
Price: 20.3522 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI7846DP-T1-E3
Numărul produsului DigiKey	SI7846DP-T1-E3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI7846DP-T1-E3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI7846DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI7846DP-T1-E3
Descriere	MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 150 V 4A (Ta) 1,9W (Ta) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI7846DP-T1-E3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 36 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Disipare putere (Max) 1,9W (Ta)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tip FET Canal-N	Grad –
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Calificare –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 150 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4A (Ta)	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 50mOhm la 5A, 10V	Număr produs de bază SI7846
Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 250µA