Name: SI7172ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7172ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 9.7526 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI7172ADP-T1-RE3
Numărul produsului DigiKey	SI7172ADP-T1-RE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI7172ADP-T1-RE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI7172ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI7172ADP-T1-RE3
Descriere	MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	42 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 5,3A (Ta), 17,2A (Tc) – Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Vishay Siliconix	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1110 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) –
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 125°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 5,3A (Ta), 17,2A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 7,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 50mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 3,1V la 250µA	Număr produs de bază SI7172
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 19.5 nC @ 10 V