Name: SI7157DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7157DP-T1-GE3TR-ND
Price: 13.431 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI7157DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI7157DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI7157DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI7157DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI7157DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 20 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI7157DP-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 625 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±12V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 22000 pF @ 10 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 60A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 2,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,6mOhm la 25A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 1,4V la 250µA	Număr produs de bază SI7157