Name: SI7149DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7149DP-T1-GE3TR-ND
Price: 12.2089 RON
Availability: InStock

SI7149DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI7149DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI7149DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI7149DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI7149DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	49 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 50A (Tc) 69W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI7149DP-T1-GE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	50A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	5,2mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4590 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	69W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SI7149

Preț unitar fără TVA:	10,09000 lei
Preț unitar cu TVA:	12,20890 lei

SI7149DP-T1-GE3