Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 8.1796 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI6562CDQ-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI6562CDQ-T1-GE3
Descriere	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 20V 6,7A, 6,1A 1,6W, 1,7W Montare pe suprafață 8-TSSOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI6562CDQ-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal N și P
Caracteristică FET	Poartă logică
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	20V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	6,7A, 6,1A
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	22mOhm la 5,7A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	23nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	850pF la 10V
Putere - Max	1,6W, 1,7W
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	8-TSSOP (0,173", 4,40mm lățime)
Pachet dispozitiv furnizor	8-TSSOP
Număr produs de bază	SI6562