Name: SI5403DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5403DC-T1-GE3TR-ND
Price: 8.2885 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI5403DC-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI5403DC-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI5403DC-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI5403DC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI5403DC-T1-GE3
Descriere	MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 6A (Tc) 2,5W (Ta), 6,3W (Tc) Montare pe suprafață 1206-8 ChipFET™
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI5403DC-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	6A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	30mOhm la 7,2A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1340 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 6,3W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	1206-8 ChipFET™
Pachet/cutie	8-SMD, Derivații plate
Număr produs de bază	SI5403