Name: SI4909DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4909DY-T1-GE3TR-ND
Price: 8.8088 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI4909DY-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI4909DY-T1-GE3
Descriere	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 40V 8A 3,2W Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI4909DY-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 27mOhm la 8A, 10V
Producător Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA
Serie TrenchFET®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 63nC la 10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2000pF la 20V
Stare piesă Activ	Putere - Max 3,2W
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Configurație Canal 2 P (dublu)	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET Poartă logică	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 8A	Număr produs de bază SI4909

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 2.724

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)