Matrice MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montare pe suprafață 8-SOIC
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI4900DY-T1-E3

Numărul produsului DigiKey
SI4900DY-T1-E3TR-ND - Bandă și mosor (TR)
SI4900DY-T1-E3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SI4900DY-T1-E3
Descriere
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SI4900DY-T1-E3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Configurație
Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET
Poartă logică
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
60V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
5,3A
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
58mOhm la 4,3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
20nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
665pF la 15V
Putere - Max
3,1W
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet/cutie
8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Număr produs de bază
SI4900
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 195
Verificați stoc primit suplimentar
Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului. Se Produse înlocuitoare.
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT)
Cantitate Preț unitar Ext Price
17,76000 lei7,76 lei
104,92900 lei49,29 lei
1003,30850 lei330,85 lei
Preț unitar fără TVA:7,76000 lei
Preț unitar cu TVA:9,38960 lei