
SI4816BDY-T1-E3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SI4816BDY-T1-E3 |
Descriere | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC |
Termen de livrare standard al producătorului | 38 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Montare pe suprafață 8-SOIC |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | SI4816BDY-T1-E3 Modele |
Categorie | Rds pornit (Max) la Id, Vgs 18,5mOhm la 6,8A, 10V |
Producător Vishay Siliconix | Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA |
Serie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 10nC la 5V |
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel® | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds – |
Stare piesă Activ | Putere - Max 1W, 1,25W |
Tehnologie MOSFET (oxid metalic) | Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ) |
Configurație Canal 2 N (Semi-punte) | Tip montare Montare pe suprafață |
Caracteristică FET Poartă logică | Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime) |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30V | Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 5,8A, 8,2A | Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 10,97000 lei | 10,97 lei |
| 10 | 7,05300 lei | 70,53 lei |
| 100 | 4,80920 lei | 480,92 lei |
| 500 | 3,84870 lei | 1.924,35 lei |
| 1.000 | 3,53983 lei | 3.539,83 lei |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 2.500 | 3,20563 lei | 8.014,08 lei |
| 5.000 | 2,99922 lei | 14.996,10 lei |
| 7.500 | 2,89411 lei | 21.705,83 lei |
| 12.500 | 2,87194 lei | 35.899,25 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 10,97000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 13,27370 lei |



