Name: SI4455DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4455DY-T1-E3TR-ND
Price: 15.9841 RON
Availability: InStock

SI4455DY-T1-E3
Numărul produsului DigiKey	SI4455DY-T1-E3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI4455DY-T1-E3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI4455DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI4455DY-T1-E3
Descriere	MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 150 V 2,8A (Tc) 3,1W (Ta), 5,9W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	150 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	2,8A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	295mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1190 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,1W (Ta), 5,9W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-SOIC
Pachet/cutie	8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Număr produs de bază	SI4455

Preț unitar fără TVA:	13,21000 lei
Preț unitar cu TVA:	15,98410 lei

SI4455DY-T1-E3