Name: SI4434ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4434ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 15.6332 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI4434ADY-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI4434ADY-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI4434ADY-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI4434ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI4434ADY-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Termen de livrare standard al producătorului	42 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 250 V 2,8A (Ta), 4,1A (Tc) 2,9W (Ta), 6W (Tc) Montare pe suprafață 8-SO
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 16.5 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie ThunderFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 600 pF @ 125 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,9W (Ta), 6W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 250 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 2,8A (Ta), 4,1A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 7,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SO
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 150mOhm la 2,8A, 10V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază SI4434