SI4425BDY-T1-E3 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
În stoc: 7.397
Preț unitar : 5,42000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 62.276
Preț unitar : 5,38000 lei
Fișă de date

Similar


Diodes Incorporated
În stoc: 0
Preț unitar : 4,29000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 9.130
Preț unitar : 6,16000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 6.303
Preț unitar : 7,07000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 1.862
Preț unitar : 3,99000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 5.965
Preț unitar : 6,29000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 1.038
Preț unitar : 9,28000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 6.336
Preț unitar : 11,14000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 2.495
Preț unitar : 11,14000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 2.252
Preț unitar : 5,72000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 9.358
Preț unitar : 6,29000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 2.446
Preț unitar : 6,03000 lei
Fișă de date
Canal P 30 V 8,8A (Ta) 1,5W (Ta) Montare pe suprafață 8-SOIC
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI4425BDY-T1-E3

Numărul produsului DigiKey
SI4425BDY-T1-E3TR-ND - Bandă și mosor (TR)
SI4425BDY-T1-E3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
SI4425BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Numărul produsului producătorului
SI4425BDY-T1-E3
Descriere
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Referință client
Descriere detaliată
Canal P 30 V 8,8A (Ta) 1,5W (Ta) Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SI4425BDY-T1-E3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
12mOhm la 11,4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
1,5W (Ta)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.