Name: SI4154DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4154DY-T1-GE3TR-ND
Price: 11.4345 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI4154DY-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI4154DY-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI4154DY-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI4154DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI4154DY-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 36A (Tc) 3,5W (Ta), 7,8W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 105 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4230 pF @ 20 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,5W (Ta), 7,8W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 36A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3,3mOhm la 15A, 10V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA	Număr produs de bază SI4154