Name: SI3585CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 4.5617 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI3585CDV-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI3585CDV-T1-GE3
Descriere	MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 20V 3,9A, 2,1A 1,4W, 1,3W Montare pe suprafață 6-TSOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI3585CDV-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 58mOhm la 2,5A, 4,5V
Producător Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) la Id 1,5V la 250µA
Serie TrenchFET®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 4,8nC la 10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 150pF la 10V
Stare piesă Activ	Putere - Max 1,4W, 1,3W
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Configurație Canal N și P	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET Poartă logică	Pachet/cutie SOT-23-6 subțire, TSOT-23-6
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20V	Pachet dispozitiv furnizor 6-TSOP
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3,9A, 2,1A	Număr produs de bază SI3585

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 157.638

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)