Matrice MOSFET 60V 370mA 510mW Montare pe suprafață SC-70-6
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI1926DL-T1-GE3

Numărul produsului DigiKey
SI1926DL-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR)
SI1926DL-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
SI1926DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SI1926DL-T1-GE3
Descriere
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 60V 370mA 510mW Montare pe suprafață SC-70-6
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SI1926DL-T1-GE3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Configurație
Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET
Poartă logică
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
60V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
370mA
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,4Ohm la 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
1,4nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
18,5pF la 30V
Putere - Max
510mW
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet/cutie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-6
Număr produs de bază
SI1926
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.