IRFIB5N65APBF este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
În stoc: 1.992
Preț unitar : 12,20000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 956
Preț unitar : 10,75000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 14,61000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 62
Preț unitar : 10,53000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.885
Preț unitar : 19,00000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 26
Preț unitar : 12,55000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRFIB5N65APBF

Numărul produsului DigiKey
IRFIB5N65APBF-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IRFIB5N65APBF
Descriere
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IRFIB5N65APBF Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
930mOhm la 3,1A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1417 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
60W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.