IRFB9N65APBF este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


IXYS
În stoc: 240
Preț unitar : 30,67000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 5,91986 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 8,5A (Tc) 167W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRFB9N65APBF

Numărul produsului DigiKey
IRFB9N65APBF-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IRFB9N65APBF
Descriere
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 8,5A (Tc) 167W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IRFB9N65APBF Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
930mOhm la 5,1A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1417 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
167W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.