Name: IRF9Z34STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF9Z34STRRPBFTR-ND
Price: 19.9892 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF9Z34STRRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF9Z34STRRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF9Z34STRRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF9Z34STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	IRF9Z34STRRPBF
Descriere	MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 18A (Tc) 3,7W (Ta), 88W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	18A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	140mOhm la 11A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,7W (Ta), 88W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IRF9Z34