Name: IRF640STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF640STRRPBFTR-ND
Price: 19.8924 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IRF640STRRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF640STRRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF640STRRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF640STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	IRF640STRRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 18A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	18A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	180mOhm la 11A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,1W (Ta), 130W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IRF640

Preț unitar fără TVA:	16,44000 lei
Preț unitar cu TVA:	19,89240 lei

IRF640STRRPBF